As ferramentas de retificação nd fornecem soluções adequadas para retificação de superfícies, bordas, furos, ranhuras e perfis em aplicações de cerâmica semicondutora.
A seleção do rebolo para processamento de wafer semicondutor envolve material do wafer, estágio de retificação, grão abrasivo, compatibilidade de equipamentos e requisitos de qualidade de superfície. As aplicações de wafer de silício e SiC exigem considerações diferentes para remoção de material, estabilidade de retificação e controle de danos superficiais.
A retificação de wafer de SiC apresenta maiores desafios do que a retificação de silício devido à alta dureza e ao comportamento frágil do material do SiC. Os principais fatores incluem remoção de material, seleção de ferramentas de retificação, parâmetros de processo e controle de qualidade de superfície.
rachaduras, lascas e defeitos subterrâneos. Os parâmetros de retificação, as condições abrasivas e o material do wafer são fatores-chave para manter um acabamento superficial estável.
com diferentes prioridades para remoção de material e qualidade de superfície. Suas diferenças na profundidade de retificação, grão abrasivo, controle dimensional e seleção de ferramentas afetam os resultados do processamento de wafers.
Danos na superfície durante a retificação do wafer afetam a qualidade do wafer por meio de arranhões, rachaduras, lascas e defeitos subterrâneos. Os parâmetros de retificação, as condições abrasivas e o material do wafer são fatores-chave para manter um acabamento superficial estável.