Meijie Superhard Materials – Ferramentas de precisão para fabricação global.
A seleção do rebolo para processamento de wafer semicondutor envolve material do wafer, estágio de retificação, grão abrasivo, compatibilidade de equipamentos e requisitos de qualidade de superfície. As aplicações de wafer de silício e SiC exigem considerações diferentes para remoção de material, estabilidade de retificação e controle de danos superficiais.
A retificação de wafer de SiC apresenta maiores desafios do que a retificação de silício devido à alta dureza e ao comportamento frágil do material do SiC. Os principais fatores incluem remoção de material, seleção de ferramentas de retificação, parâmetros de processo e controle de qualidade de superfície.
rachaduras, lascas e defeitos subterrâneos. Os parâmetros de retificação, as condições abrasivas e o material do wafer são fatores-chave para manter um acabamento superficial estável.
com diferentes prioridades para remoção de material e qualidade de superfície. Suas diferenças na profundidade de retificação, grão abrasivo, controle dimensional e seleção de ferramentas afetam os resultados do processamento de wafers.
Danos na superfície durante a retificação do wafer afetam a qualidade do wafer por meio de arranhões, rachaduras, lascas e defeitos subterrâneos. Os parâmetros de retificação, as condições abrasivas e o material do wafer são fatores-chave para manter um acabamento superficial estável.
Uma comparação prática entre rebolos de vidro convencionais e de quatro lados para diferentes requisitos de produção e condições de processamento. As principais considerações incluem rendimento, qualidade da borda, estabilidade em alta velocidade, compatibilidade da máquina e custo operacional geral.
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