CABEÇA DE MOAGEM

Retificação e chanframento de bordas de wafer de silício de cristal único e carboneto de silício. Campo de fabricação de wafer semicondutor.

Principais vantagens

Nitidez superior

O abrasivo de diamante de alta qualidade combinado com uma fórmula exclusiva oferece excelente nitidez, garantindo um processo de afiação altamente eficiente e suave, o que melhora muito a eficiência geral do processamento.
Excelente dissipação de calor e remoção de chips

A estrutura dentária densa e uniforme garante resfriamento suficiente durante a afiação, permite a descarga de cavacos desobstruída e evita defeitos de qualidade de processamento causados pelo acúmulo de calor.
Compatibilidade e estabilidade premium

É totalmente compatível com máquinas de afiação dupla de todas as marcas. Seu design estrutural se adapta perfeitamente aos requisitos de operação do equipamento, proporcionando excepcional estabilidade de funcionamento e precisão de processamento mais controlável durante o uso.

Diâmetro do moinho (D)	Φ200
Diâmetro do eixo (d)	Φ30
Tipo de calha	Em forma de U
Malha (#)	800#, 1200#
Objeto de processamento	Wafers de carboneto de silício de 6 e 8 polegadas
Velocidade do equipamento (r)	28.000 r/min
Taxa de alimentação (vf)	200-400 mm/min
Quantidade de moagem (ae)	0,3-0,5 mm